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XP6P025M

Discrete Semiconductors

YAGEO

国巨

AP6P025H

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:73.75 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP6P025I

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:74.33 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP6P025M

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:74.07 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

技术参数

  • 类别:

    XP6P025M

  • TA=25°C时功耗 (W):

    2.5

  • 栅极阈值电压 (VGS(th)):

    -3 V

  • 漏源电压 (Vds):

    -60 VDS

  • 配置:

    Single

  • 技术:

    P-Channel

  • 栅源电压 (VGS):

    20 VGS

  • 类型:

    Discrete Semiconductors

  • 应用:

    MOSFET

  • 封装:

    SO-8(M)

  • 产品类别:

    MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
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更多XP6P025M供应商 更新时间2026-3-10 14:01:00