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XP4P052AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors	YAGEO 国巨	YAGEO
4P052	文件：75.24 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：75.24 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
4P052	文件：74.1 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：74.1 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4P052H	文件：75.24 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：75.24 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

类别：
XP4P052AM
TA=25°C时功耗 (W)：
2.5
栅极阈值电压 (VGS(th))：
-3 V
漏源电压 (Vds)：
-40 VDS
配置：
Single
技术：
P-Channel
栅源电压 (VGS)：
20 VGS
类型：
Discrete Semiconductors
应用：
MOSFET
封装：
SO-8(M)
产品类别：
MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	XP4P052AM	NK/南科功率	2025+	SO-8	986966	国产	询价
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更多XP4P052AM供应商更新时间2026-3-10 14:01:00

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