XP3A010AM中文资料Discrete Semiconductors数据手册YAGEO规格书
技术参数
- 制造商编号
：XP3A010AM
- 生产厂家
：YAGEO
- TA=25°C时功耗 (W)
：2
- 栅极阈值电压 (VGS(th))
：3 V
- 漏源电压 (Vds)
：30 VDS
- 配置
：Dual
- 技术
：N-Channel
- 栅源电压 (VGS)
：20 VGS
- 类别
：XP3A010AM
- 类型
：Discrete Semiconductors
- 应用
：MOSFET
- 封装
：SO-8(M)
- 产品类别
：MOSFET
