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XP152A12C0MR	文件：171.19 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
XP152A12C0MR	文件：316.91 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
XP152A12C0MR-G	文件：473 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
XP152A12C0MRN	文件：473.11 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
XP152A12C0MR_1	文件：427.93 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
XP152A12C0MR_12	文件：316.91 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
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详细参数

型号：
XP152A12C0MR
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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