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XNS50A65TL3中文资料IGBT单管数据手册Xiner规格书
XNS50A65TL3规格书详情
描述 Description
芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。
特性 Features
• 低饱和导通压降；
• 高短路电流耐量；
• 高的输入阻抗；
• 正向温度系数，适合并联使用。
应用 Application
• 变频器
• 不间断电源
• 储能
• 电源开关
• 电饭煲
• 风扇
• 微波炉
• 太阳能
• 伺服电机
技术参数
- 制造商编号
：XNS50A65TL3
- 生产厂家
：Xiner
- Build-in Diode
：Yes
- Vce(max)@25℃
：650
- IC(max)@100℃
：50
- IF(max)@100℃
：50
- Short-Circuit(uS)
：5
- Tj(℃)
：-40~+ 175
- VGE(th)(typ)
：5.2
- VCE(sat)(typ)(Typ)
：1.70
- VF(Typ)
：1.60
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