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XN2001S

驱动IC

针对MOSFET/IGBT驱动,芯能在国内率先开发出驱动IC,具有高可靠性和广泛的兼容性,可以满足消费、家电、工业、新能源等领域对电机驱动和电源转换的多样化需求。 芯能驱动IC具有过流保护、欠压保护、防直通、死区等功能,驱动能力更强,可集成自举二极管,能帮助客户简化系统、节省成本。 • 高击穿电压, 800V \n• 高负压耐受, -100V/50ns \n• 高dv/dt, 50V/ns \n• 高驱动能力可达3A \n• VCC/VBS电源钳位 \n;

Xiner

芯能半导体

XR2001

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

文件:402.39 Kbytes 页数:7 Pages

EXAR

艾科嘉

XR-2001

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

文件:402.39 Kbytes 页数:7 Pages

EXAR

艾科嘉

XR-2001CN

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays

文件:402.39 Kbytes 页数:7 Pages

EXAR

艾科嘉

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