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XN0NE9200L

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5

Panasonic

松下

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    12V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    1.2A(Ta)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    450 毫欧 @ 800mA,4V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    1.3V @ 1mA

  • Vgs(最大值):

    ±15V

  • FET 功能:

    肖特基二极管(隔离式)

  • 功率耗散(最大值):

    600mW(Ta)

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    迷你型5-G1

  • 封装/外壳:

    SC-74A,SOT-753

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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