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AQY410EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EH	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHA	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHA	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410EHAX	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHAZ	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)-EType1-Channel(FormB)4-pinType FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410EHAZ	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQY410SX	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQY410SZ	文件：45.73 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)TypeSOPSeries1-Channel(FormB)4-PinType	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AT-410	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(N,BNC,TNC)	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
AT-410(40)	文件：1.18736 Mbytes Page：12 Pages	50ohmswidevarietiesstandardconnectors	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
ATN410	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BCL-410	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.96 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor4AWGWire,StudSize10,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-410-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	ActiveBiasController ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100µAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	ActiveBiasController	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL

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详细参数

型号：
XL-410
制造商：
Multi-Contact

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
绿盛电子(香港)有限公司	XL4101	XL	2015+	TO263-5L	16998	XL代理,原装现货,特价热卖!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	XL4101	XL	2017+	TO-263	44558	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	XL4101	国产XL	22+	TO263-5	3500	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	XL4101	XL	2020+	TO263-5L	210000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
深圳市瑞新盛科技有限公司	XL4101	XLSEMI		TO-263-5	30000	原装正品价格优势现货库存	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	XL4101	芯龙	2018+	SMD	30000		询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	XL4101	XLSEMI/上海芯龙	23+	TO263-5L	8888	大批量供应优势库存热卖	询价
深圳市维尔达电子有限公司	XL4101	XLSEMI	2023+	TO263	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	XL4101	XLSEMI	21+	TO263	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市兴灿科技有限公司	XL4101	CHINA	23+	TO263-5L	8000	优势现货	询价

更多XL-410供应商更新时间2024-5-22 9:28:00

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