XG5N100规格书批发采购无锡固电IXYS-114ic电子网

首页 >XG5N100>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
AOK5N100	文件：421.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK5N100	文件：294.75 Kbytes Page：5 Pages	1000V,4AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT5N100	文件：344.49 Kbytes Page：6 Pages	1000V,4AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT5N100	文件：257.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF5N100	文件：344.49 Kbytes Page：6 Pages	1000V,4AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF5N100	文件：295.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA5N100P	文件：161.13 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH5N100	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH5N100	文件：371.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH5N100P	文件：371.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH5N100P	文件：161.13 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM5N100	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP5N100	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP5N100P	文件：161.13 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP5N100PM	文件：122.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH5N100	文件：381.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH5N100	文件：104.2 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH5N100A	文件：104.2 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH5N100A	文件：381.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTM5N100	文件：312.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrentID=5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=1000V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=2.4Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariations	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

12 >>>

详细参数

型号：
XG5N100
制造商：
Omron Electronic Components LLC
功能描述：
CRIMPED SOCKET DISCRETE - Trays
功能描述：
CONN SOCKET 10POS IDC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市艾宇欣科技有限公司	XG5N-100	Omron	2010+	N/A	105	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	XG5N-100	OMRON	20+	连接器	2963	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	XG5N-100	OMRON	21+		50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	XG5N-100	OMRON	21+		500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	XG5N-100	OMRON			589220	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	XG5N-100		23+	N/A	67000	一级代理放心采购	询价
深圳市德创芯微科技有限公司	XG5N-101	Omron	21+		10	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	XG5N-101	Omron	2023+		700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	XG5N-101	OMRON	23+	NA	100	现货!就到京北通宇商城	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	XG5N-101	Omron	2023+		8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价

更多XG5N100供应商更新时间2024-5-31 10:18:00

详细参数

相关规格书

相关库存