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xg30N120V1

MOSFET

在 MOS管的栅极(G)、源极(S)之间加电压(VGS)及在漏极(D)、源极(S)之间加电压(VDS),则产生工作电流(ID),改变VGS电压可控制ID工作电流,为电压控制型电路驱动开关器件。

XG-Semi

芯国

XG-Semi

XG4M-1630-T

SMD

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更多XG30N120V1供应商 更新时间2025-12-9 15:55:00