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XC6405A	文件：558.18 Kbytes Page：54 Pages	High Current, High Speed LDO Regulators, Voltage Detector Function	TOREXTOREX SEMICONDUCTOR LTD. 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX
6405	文件：63.11 Kbytes Page：2 Pages	InsulationPiercingClips	POMONA Pomona Electronics	POMONA
A6405	文件：364.2 Kbytes Page：5 Pages	ACFilmCapacitorsLighting Features ■Self-healingproperties ■Lowdissipationfactor ■Highinsulationresisitance Construction ■Dielectric:polypropylenefilm ■Aluminiumcan ■Softpolyurethanresin ■Internaldischageresistor ■Overpressuredisconnector Typicalapplications Forgeneralsinewaveapplicat	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
AO6405	文件：1.72867 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-5A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6405	文件：506.6 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6405	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO6405isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6405LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6405-HF	文件：2.47893 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-5A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6405L	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO6405isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6405LisaGreenProductorde	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6405	文件：251 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON6405	文件：986.65 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AON6405L	文件：133.82 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON6405LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=-30V ID=-30A(VGS=-1	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ATA6405	文件：281.28 Kbytes Page：12 Pages	12/24VSYSTEMPOWERSUPPLYIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
BOXER-6405	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron/Pentium™Processor Features ■SlimBoxerDesign:37mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
BOXER-6405M	文件：358.38 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron®/Pentium®Processor Features ■SlimBoxerDesign:42mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
CEB6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6405	文件：782.97 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-5.7A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=68mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZ6405	文件：785.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-21A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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详细参数

型号：
XC6405A
制造商：
TOREX
制造商全称：
Torex Semiconductor
功能描述：
High Current, High Speed LDO Regulators, Voltage Detector Function

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多XC6405A供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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