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CEH2321	文件：131.14 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-4.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■TSOP-6package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEH2321	文件：411.83 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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详细参数

型号：
XC2321D
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
16 BIT FLASH C11 BCS - Tape and Reel

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