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XB1005	文件：1.02722 Mbytes Page：12 Pages	35.0-45.0 GHz GaAs MMIC Buffer Amplifier 文件：1.02722 Mbytes 页数：12 Pages	MIMIX	MIMIX
XB1005-BD	文件：1.34293 Mbytes Page：14 Pages	Buffer Amplifier 文件：1.34293 Mbytes 页数：14 Pages	MA-COM	MA-COM
XB1005-BD	文件：737.45 Kbytes Page：12 Pages	35.0-45.0 GHz GaAs MMIC Buffer Amplifier 文件：737.45 Kbytes 页数：12 Pages	MIMIX	MIMIX
XB1005-BD_15	文件：1.34293 Mbytes Page：14 Pages	Buffer Amplifier 文件：1.34293 Mbytes 页数：14 Pages	MA-COM	MA-COM
XB1005-BD-000V	文件：737.45 Kbytes Page：12 Pages	35.0-45.0 GHz GaAs MMIC Buffer Amplifier 文件：737.45 Kbytes 页数：12 Pages	MIMIX	MIMIX
XB1005-BD-EV1	文件：737.45 Kbytes Page：12 Pages	35.0-45.0 GHz GaAs MMIC Buffer Amplifier 文件：737.45 Kbytes 页数：12 Pages	MIMIX	MIMIX
XB1005-BD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Buffer Amplifier MACOM’s three stage 35.0-45.0 GHz GaAs MMIC buffer amplifier has a small signal gain of 23.0 dB with a noise figure of 2.7 dB across the band. This MMIC uses MACOM’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ensure high repeatability and uniformity. The chip ·High Dynamic Range\n·RoHS* Compliant\n·100% Commercial-Level Visual Inspection Using Mil-Std-883 Method 2010\n·Wafer RF, DC and Noise Figure Testing\n·+16 dBm P1dB Compression at Power Bias ? 100% On\n·2.7 dB Noise Figure at Low Noise Bias\n·23.0 dB Small Signal Gain\n·Low Noise or Power Bi;	MACOM	MACOM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
35000
Max Frequency(MHz)：
45000
Gain(dB)：
23.0
Output P1dB(dBm)：
16.00
OIP3(dBm)：
26.0
Bias Current(mA)：
50
NF(dB)：
2.7
Package：
DIE
Package Category：
Die/Bumped Die
Rohs：
Yes

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更多XB1005供应商更新时间2026-1-20 16:54:00

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