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X28HC256DMB-90	文件：977.81 Kbytes Page：21 Pages	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory.TheX28HC256supportsa128-bytepagewriteoperation,effectivelyprovidinga24µ	ROCHESTERRochester Electronics 罗切斯特罗切斯特电子公司	ROCHESTER
X28HC256DMB-90	文件：110.67 Kbytes Page：24 Pages	5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32Kx8E2PROM.ItisfabricatedwithXicor’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Voltonlynonvolatilememory. FEATURES •AccessTime:70ns •SimpleByteandPageWrite —Si	Xicor Xicor Inc.
X28HC256DMB-90	文件：410.17 Kbytes Page：20 Pages	5V, Byte Alterable EEPROM	Intersil Intersil Corporation
FT28HC256DMB-90	文件：2.12346 Mbytes Page：23 Pages	5Volt,ByteAlterableEEPROM	FORCE Force Technologies Ltd
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