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WSR130N06

N-Ch MOSFET

文件:1.50899 Mbytes 页数:5 Pages

WIINSOK

微硕半导体

WSR130N06

MOSFET

Winsok

微硕半导体

WSR130N06PT

中压场效应管(30-100V)

Winsok

微硕半导体

G130N06M

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G130N06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:969.35 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G130N06S

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G130N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:1.06846 Mbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

HRF130N06K

100 Avalanche Tested

文件:872.75 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIHOW

技术参数

  • Package:

    TO-220

  • ESD Diode:

    NO

  • VDS (V):

    60

  • VGS ±(V):

    20

  • ID(A):

    120

  • VGS(th) (max V):

    1

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    3

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    3.8

  • RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ):

    3.8

  • Qg (nC):

    37

  • Qgs (nC):

    6.5

  • Qgd (nC):

    9.7

  • Ciss(pF):

    5935

  • Coss(pF):

    163

  • Crss(pF):

    76

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更多WSR130N06供应商 更新时间2025-11-30 11:06:00