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WSJM65R120

HV MOSFETs

• Superior FOM RDS(on) * Qg\n• 100% avalanche tested;

WeEn

瑞能半导体

WSJM65R120W

HV MOSFETs

• Superior FOM RDS(on) * Qg\n• 100% avalanche tested;

WeEn

瑞能半导体

WSJM65R120W

Super-Junction Power MOSFET

General description WSJM65R120W is a high voltage N-channel MOSFET in TO247 package, which utilizes the advanced super-junction technology to provide superior FOM RDS(on) * Qg among silicon based MOSFETs. It is particularly suitable for applications require extreme high efficiency and power

文件:579.16 Kbytes 页数:12 Pages

WEEN

瑞能半导体

ASA65R120EFD

MOSFET Silicon N-Channel MOS

文件:2.072199 Mbytes 页数:13 Pages

SY

顺烨电子

ASR65R120EFD

MOSFET Silicon N-Channel MOS

文件:2.072199 Mbytes 页数:13 Pages

SY

顺烨电子

ASW65R120EFD

MOSFET Silicon N-Channel MOS

文件:2.072199 Mbytes 页数:13 Pages

SY

顺烨电子

技术参数

  • VDS (V):

    650

  • VGS (±V):

    30

  • ID(A)@ 25℃:

    30

  • RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 10V:

    120

  • QG(tot) (nC):

    54

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更多WSJM65R120供应商 更新时间2025-12-6 9:24:00