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WSGPA01-V1-R1中文资料10 W, 5 GHz, GaN on SiC General Purpose Power Amplifier数据手册MACOM规格书
WSGPA01-V1-R1规格书详情
描述 Description
GaN on SiC HEMT technologyOperating frequency : up to 5 GHzP3dB : up to 10 WSupply voltage : up to 50 VPb-free and RoHS compliant
特性 Features
• GaN on SiC HEMT technology
• Operating frequency : up to 5 GHz
• P3dB : up to 10 W
• Supply voltage : up to 50 V
• Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
• Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
:WSGPA01-V1-R1
- 生产厂家
:MACOM
- 新设计推荐?
:Yes
- 技术
:GaN on SiC
- 频率(最小值)
:DC
- 频率(最大值)
:5 GHz
- P3dB 输出功率
:10 W
- 增益
:18 dB
- 效率
:19%
- 工作电压
:48 V
- 封装类型
:Surface Mount
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
WINSON |
24+ |
NA/ |
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23+ |
NA |
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Winson |
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NA |
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新 |
5 |
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60000 |
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WINSON |
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