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WSDD18B3Y1N数据手册Winsemi中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：WSDD18B3Y1N
- 生产厂家
：Winsemi
- 过充检测电压 VCU (V)
：4.42
- 过充检测电压 精度 (mV)
：50
- 过充释放电压 VCL (V)
：4.22
- 过充检测电流 IIOCC (A)
：7.5
- 过放检测电压 VDL (V)
：2.45
- 过放释放电压 VDR (V)
：3.05
- 过放保护电流 IOV1 (A)
：6.5
- 过放自恢复 功能
：是
- Rds(on)(mΩ)
：18
- 向0V 充电功能
：允许
- 外围RC
：否
