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WSD14N10DNG	文件：2.22379 Mbytes Page：6 Pages	N-Ch MOSFET 文件：2.22379 Mbytes 页数：6 Pages	WIINSOK 微硕半导体	WIINSOK
WSD14N10DNG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Winsok 微硕半导体	Winsok
WSP14N10	文件：1.45824 Mbytes Page：6 Pages	N-Ch MOSFET 文件：1.45824 Mbytes 页数：6 Pages	WIINSOK 微硕半导体	WIINSOK
CED14N10	文件：925.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 12A, RDS(ON) = 100mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant RDS(ON) = 140mW @VGS = 6V. 文件：925.83 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU14N10	文件：925.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 12A, RDS(ON) = 100mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant RDS(ON) = 140mW @VGS = 6V. 文件：925.83 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
EMB14N10CS	文件：230.02 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 14.6mΩ ID 62A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.02 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

更多WSD14N10DNG供应商更新时间2025-10-6 11:04:00