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WS7932DB

CMOS High Band LTE LNA

文件:750.78 Kbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WS7932DB-6/TR

丝印:KA;Package:DFN1107-6L;CMOS High Band LTE LNA

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WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WS7932DB-6SLASHTR

丝印:KA;Package:DFN1107-6L;CMOS High Band LTE LNA

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WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WS7932DB

射频器件-低噪声放大器

OmniVision

豪威集团

技术参数

  • IccmA:

    8.6

  • IP1dBdBm:

    -7.0

  • RLindB:

    6.0

  • FrequencyMHz:

    2300-2690

  • RLoutdB:

    16.0

  • Package:

    DFN1107-6L

  • GpdB:

    13.3

  • TSTG°C:

    -65~150

  • IIP3dBm:

    8.0

  • Sizemm:

    1.1*0.7*0.55

  • NFdB:

    1.00

  • VESD(HBM)V:

    2000

  • ShippingReel&Tape:

    10000

  • ISLdB:

    23.0

  • TOP°C:

    -40~85

  • VccV:

    1.8-3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多WS7932DB供应商 更新时间2025-10-13 9:30:00