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WS30P30SMC-B-AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive Level 3000W TVS;	WayonWayon Electronics Co.,Ltd. 维安上海维安电子有限公司	Wayon
A30P30	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30P30G	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30P30PP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30P30PP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DAM30P30H	文件：255.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAME30P30H	文件：254.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
NCE30P30G	文件：363.33 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P30Gusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE30P30K	文件：1.02365 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE30P30K	文件：426.32 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P30Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

技术参数

Package：
SMC
Peak Pulse Power Ppp(W)：
3000
Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：
30
MIN VBR (Volts)@IT：
33.30
MAX VBR (Volts)@IT：
36.80
Test Current IT(mA)：
1.0
Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：
48.4
Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：
62.0
Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：
2.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多WS30P30SMC-B-AT供应商更新时间2025-7-28 13:01:00

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