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NCE30P30L

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P30Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

PJM30P30DI

P-ChannelPowerMOSFET

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

技术参数

  • Package:

    SMC

  • Peak Pulse Power Ppp(W):

    3000

  • Reverse Stand off Voltage VRWM(V):

    30

  • MIN VBR (Volts)@IT:

    33.30

  • MAX VBR (Volts)@IT:

    36.80

  • Test Current IT(mA):

    1.0

  • Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V):

    48.4

  • Maximum Peak Pulse Current Ipp(A):

    62.0

  • Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA):

    2.0

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更多WS30P30SMC-AT供应商 更新时间2025-7-29 13:01:00