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WPM5001	文件：1.34012 Mbytes Page：8 Pages	Single P-Channel, - V, -0.2A, Power MOSFET 文件：1.34012 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WPM5001-3/TR	文件：1.34012 Mbytes Page：8 Pages	丝印：W01A；Package：SOT-23；Single P-Channel, - V, -0.2A, Power MOSFET 文件：1.34012 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WPM5001-3SLASHTR	文件：1.34012 Mbytes Page：8 Pages	丝印：W01A；Package：SOT-23；Single P-Channel, - V, -0.2A, Power MOSFET 文件：1.34012 Mbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WPM5001A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET The WPM5001A is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product WPM5001A is Pb-free. • Trench Technology\n• Excellent ON resistance\n• Small package SOT-23\n• Pin configuration(Top view)\n• Power supply converters circuit\n• Load/Power Switching for portable device;	OmniVision 豪威集团	OmniVision

技术参数

Package：
SOT-23
Size(W×L×H)(mm)(Max.)：
3.1*2.55*1.15
Configuration：
Single P
VDS(V) (Max.)：
-50
VGS(V) (Max.)：
±20
VGS(th)(V)(Typ.)：
-1.6
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Typ.)：
7100
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Max.)：
10500
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.)：
8800
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.)：
17000
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.)：
N/A
RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.)：
N/A
ID@TA = 25°C(A) (Max.)：
-0.18
PD@TA= 25℃(W) (Max)：
0.65
RJA(℃/W)(Max)：
219
RJC(℃/W)(Max)：
N/A
Ciss(pF) (Typ)：
17
Coss(pF) (Typ)：
8.1
Crss(pF) (Typ)：
3.5
Qg(TOT)(nC)(Typ.)：
0.58
Qgd(nC)(Typ)：
0.2
Td(on)(ns)(Typ)：
2.7
Td(off)(ns)(Typ)：
5.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	WPM5001	WILLSEMI	24+	SOT-23	288500	原装现货	询价
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更多WPM5001供应商更新时间2026-1-22 16:43:00

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