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WPB4002	文件：311.27 Kbytes Page：5 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
WPB4002	文件：257.25 Kbytes Page：5 Pages	8-bit Withstand Voltage Microcontroller	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
WPB4002-1E	文件：257.25 Kbytes Page：5 Pages	8-bit Withstand Voltage Microcontroller	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
YBSM4002	文件：2.60101 Mbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£313149 Glasspassivatedchipjunction Idealforautomatedplacement Highsurgecurrentcapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
YBSM4002	文件：888.5 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ●Idealforautomatedplacement ●Highsurgecurrentcapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
YBSM4002	文件：265.54 Kbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers	FS First Silicon Co., Ltd	FS
ZABG4002	文件：90.66 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWER4STAGEFETLNABIASCONTROLLER Summary TheZABG4002isafourstagedepletionmodeFETbiascontrollerintendedprimarilyforsatelliteLowNoiseBlock’s(LNB’s),butitsalsosuitableforotherLNAapplicationssuchasthoseinfoundinPMR’sandmicrowavelinks.TheZABG4002provideseachFETwithanindependentprotectedne	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN4002Z	文件：279.22 Kbytes Page：5 Pages	100VNPNLEDDRIVINGTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>100V •MaxcontinuouscurrentIC(cont)=1A •hFE>100@IC=150mA,VCE=200mV •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications LEDTVbacklight	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN4002ZTA	文件：279.22 Kbytes Page：5 Pages	100VNPNLEDDRIVINGTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>100V •MaxcontinuouscurrentIC(cont)=1A •hFE>100@IC=150mA,VCE=200mV •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications LEDTVbacklight	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
WPB4002
功能描述：
MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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