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WNSC6D20650W

丝印:WNSC6D20650W;Package:TO247-2L;Silicon Carbide Diode

文件:523.02 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC6D20650WQ

Silicon Carbide Diode

文件:523.02 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC6D20650W

碳化硅二极管

• New 6th Generation Technology• Low Forward Voltage Drop• Low Reverse Leakage Current• High Forward Surge Capability IFSM• Reduced Losses in Associated MOSFET• Reduced EMI• Reduced Cooling Requirements• RoHS Compliant;

WeEn

瑞能半导体

WNSC6D20650WQ

Package:TO-247-2;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Package name:

    TO247-2L

  • IF(AV) [max]:

    20

  • Tj [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • Qr [typ]:

    65

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.22

  • @ IF:

    20

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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