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WNSC201200W数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

WNSC201200W

参数属性

WNSC201200W 封装/外壳为TO-247-2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE

功能描述

Silicon Carbide Diodes
SILICON CARBIDE POWER DIODE

封装外壳

TO-247-2

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 15:02:00

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WNSC201200W规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide Schottky diode in a TO247-2L plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies..

特性 Features

• Highly stable switching performance
• High forward surge capability IFSM
• Extremely fast reverse recovery time
• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives
• Reduced losses in associated MOSFET
• Reduced EMI
• Reduced cooling requirements
• RoHS compliant
• High junction operating temperature capability (Tj(max) = 175 °C)

应用 Application

• Power factor correction
• Telecom/Server SMPS
• UPS
• PV inverter
• PC Silverbox
• LED/OLED TV
• Motor Drives

简介

WNSC201200W属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的WNSC201200W二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    WNSC201200WQ

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1.02nF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-2

  • 供应商器件封装:

    TO-247-2

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    SILICON CARBIDE POWER DIODE

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