WNSC08650T6J_分立半导体产品二极管-整流器-单-瑞能

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1+	¥25.40000
3000+	¥13.96739

厂家型号：
WNSC08650T6J
制造商：
WEEN SEMICONDUCTORS/瑞能
库存数量：
2876
类别：
分立半导体产品二极管-整流器-单
封装外壳：
4-VSFN 裸露焊盘
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-23 15:00:00

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原厂料号：WNSC08650T6J品牌：WeEn Semiconductors

资料说明：SILICON CARBIDE POWER DIODE

WNSC08650T6J是分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。制造商WEEN SEMICONDUCTORS/瑞能生产封装4-VSFN 裸露焊盘的WNSC08650T6J二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

芯片型号：
wnsc08650t6j
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
WEEN SEMICONDUCTORS【瑞能】详情
厂商全称：
WeEn Semiconductors Co., Ltd
中文名称：
瑞能半导体
资料说明：
SILICON CARBIDE POWER DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
WNSC08650T6J
制造商：
WeEn Semiconductors
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
267pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-VSFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
5-DFN（8x8）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
SILICON CARBIDE POWER DIODE

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WNSC08650T6J_分立半导体产品 二极管-整流器-单-瑞能

WNSC08650T6J

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