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WNSC06650T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

WNSC06650T
厂商型号

WNSC06650T

参数属性

WNSC06650T 封装/外壳为4-VSFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE

功能描述

Silicon Carbide Diode
SILICON CARBIDE POWER DIODE

丝印标识

WNSC06650T

封装外壳

DFN8*8 / 4-VSFN 裸露焊盘

文件大小

506.85 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 WeEn Semiconductors
企业简称

WEEN瑞能半导体

中文名称

瑞能半导体科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-27 17:54:00

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WNSC06650T规格书详情

WNSC06650T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由瑞能半导体科技股份有限公司制造生产的WNSC06650T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    WNSC06650T6J

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    190pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-VSFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    5-DFN(8x8)

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    SILICON CARBIDE POWER DIODE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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