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WMF08N60C4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel SJ-MOS C4; 采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOS™ C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOS™ C2系列产品具有更好的性价比。	WayonWayon Electronics Co.,Ltd. 维安上海维安电子有限公司	Wayon

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WMF08N60C4

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N-Channel SJ-MOS C4;

采用先进的超结技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，新一代Wayon WMOS™ C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%，有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS，500V-900V WMOS™ C2系列产品具有更好的性价比。

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

维安上海维安电子有限公司

Wayon

技术参数

Package：
SOT-223-2L
VDS (V)：
600
RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：
0.78
ID (A)@TA=25℃：
6
PD (W) @TA=25℃：
45
VGS (V)：
30
VGS(th) (V) (Typ.)：
3

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