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WM02DP06T

P-Channel Trench MOSFET;

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

维安上海维安电子有限公司

技术参数

  • VDS(V):

    -20

  • Vgs Max(V):

    ±12

  • ID(A)@TA=25℃(Max.):

    -0.66

  • VGS(th)(V)(Min.):

    -0.3

  • VGS(th)(V)(Max.):

    -1.1

  • Rds(on)mΩ@VGS=10V(Typ.):

    /

  • Rds(on)mΩ@VGS=10V(Max.):

    /

  • Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Typ.):

    450

  • Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Max.):

    520

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更多WM02DP06T供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00