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DFE252012C	文件：3.29142 Mbytes Page：63 Pages	TPS6128xD/ELow-IQ,Wide-VoltageBatteryFront-EndDC/DCConverterforSingle-CellLi-Ion,Ni-Rich,Si-AnodeApplications 1Features •95efficiencyat2.3MHzoperation •3-μAquiescentcurrentinlowIQpass-through mode •WideVINrangefrom2.3VTo4.8V •IOUT≥4-A(Peak)atVOUT=3.35V,VIN≥2.65V •Integratedpass-throughmode(35mΩ) •Programmablevalleyinductorcurrentlimitand outputvoltag	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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DFE252012C	文件：80.13 Kbytes Page：1 Pages	MetalAlloyInductors	Toko TOKO, Inc	Toko
DFE252012C	文件：217.85 Kbytes Page：1 Pages	TheuseofFlatwireforLowDCresistance	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DFE252012F	文件：187.51 Kbytes Page：1 Pages	TheuseofFlatwireforLowDCresistance	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DFE252012F	文件：228.89 Kbytes Page：1 Pages	Magneticallyshielded,lowaudiblecorenoise	Toko TOKO, Inc	Toko
DFE252012P	文件：3.29142 Mbytes Page：63 Pages	TPS6128xD/ELow-IQ,Wide-VoltageBatteryFront-EndDC/DCConverterforSingle-CellLi-Ion,Ni-Rich,Si-AnodeApplications 1Features •95efficiencyat2.3MHzoperation •3-μAquiescentcurrentinlowIQpass-through mode •WideVINrangefrom2.3VTo4.8V •IOUT≥4-A(Peak)atVOUT=3.35V,VIN≥2.65V •Integratedpass-throughmode(35mΩ) •Programmablevalleyinductorcurrentlimitand outputvoltag	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
DFE252012P	文件：217.96 Kbytes Page：1 Pages	TheuseofFlatwireforLowDCresistance	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DFE252012P	文件：180.98 Kbytes Page：1 Pages	MetalAlloyInductors	Toko TOKO, Inc	Toko
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