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BCR133	文件：490.62 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching in circuit, inverter, interface circuit, drive circuit • Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133F	文件：490.62 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WCs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching in circuit, inverter, interface circuit, drive circuit • Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133S	文件：490.62 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching in circuit, inverter, interface circuit, drive circuit • Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133W	文件：490.62 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching in circuit, inverter, interface circuit, drive circuit • Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133	文件：146.46 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：146.46 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133F	文件：146.46 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WCs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor 文件：146.46 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133S	文件：146.46 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor 文件：146.46 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR133W	文件：146.46 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WCs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor 文件：146.46 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
WCS1301	文件：398.23 Kbytes Page：4 Pages	Hall Effect Base Current Switch Features:  8.3 mΩ internal conductor resistance  Output “Low” when IP>= Iop  Output “High” when IP 文件：398.23 Kbytes 页数：4 Pages	DIWELL	DIWELL
WCS1302	文件：398.23 Kbytes Page：4 Pages	Hall Effect Base Current Switch Features:  8.3 mΩ internal conductor resistance  Output “Low” when IP>= Iop  Output “High” when IP 文件：398.23 Kbytes 页数：4 Pages	DIWELL	DIWELL

晶体管资料

型号：
BCR133W
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC114EU,UN5211,2SC4398,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
R1 ：
10.0kΩ
R2 ：
10.0kΩ
hFE min：
30.0
Vi (on) max：
1.5V
Vi (on) min：
1.02mA / 0.3V
Vi (off) max：
1.5100µA / 5V
VCEO max：
50.0V
VCBO max：
50.0V
VEBO max：
10.0V
Ptot max：
250.0mW
ICBO max：
100.0nA
fT ：
130.0MHz
VCE(sat) max：
0.3V
Mounting ：
SMT
R1 / R2 ：
1.0

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