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丝印：WBS1R；Package：SOT-23；Lower switching losses Features VDS (V) = 25V RDS(ON) 24m (VGS = 10V) RDS(ON) 41m (VGS = 4.5V) Benefits Lower switching losses Multi-vendor compatibility Easier manufacturing Environmentally friendly Increased reliability 文件：474.14 Kbytes 页数：8 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | ||
丝印：WBS1R；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS (V) = 25V RDS(ON) 文件：376.51 Kbytes 页数：8 Pages | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI |
详细参数
- 型号：
WBS1R
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2019+ |
SOT23-3 |
6000 |
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IR |
22+ |
SOT-23 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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友台 |
23+ |
SOT-23 |
10000 |
优势原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT-23 |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
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SOT-23 |
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IR |
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更新时间2025-9-19 9:33:00
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