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WB10SC120AL规格书详情
特性 Features
• Extremely fast reverse recovery time
• Low figure of merit (Qr*VF)
• Highly stable switching performance
• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives
• Reduced losses in associated MOSFET
• Reduced EMI
• Reduced cooling requirements
• RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
:WB10SC120AL
- 生产厂家
:WeEn
- Package version
:Die
- VF [typ] @ Tj = 150 °C
:1.88
- VRRM [max]
:1200
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
WB |
24+ |
NA/ |
3475 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
WB |
25+ |
LGA |
54648 |
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WB |
24+ |
LGA |
990000 |
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FOXCONN |
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N/A |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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NA |
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WB |
23+ |
LGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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FOXCONN |
ROHS |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
N |
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TO |
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询价 | ||
NA |
2023+ |
NA |
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