W634GU8QB09I TR_集成电路（IC）存储器-华邦电子

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2000+	¥62.26720

厂家型号：
W634GU8QB09I TR
制造商：
WINBOND/华邦电子
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
78-VFBGA
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-6-10 11:36:00

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原厂料号：W634GU8QB09I TR品牌：Winbond Electronics

资料说明：4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M

W634GU8QB09I TR是集成电路（IC） > 存储器。制造商WINBOND/华邦电子生产封装78-VFBGA的W634GU8QB09I TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
w634gu8qb09i%20tr
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
WINBOND【华邦电子】详情
厂商全称：
Winbond Electronics
中文名称：
华邦电子股份有限公司
资料说明：
4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M

产品属性

类型
描述
产品编号：
W634GU8QB09I TR
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3L
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.283V ~ 1.45V
工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
78-VFBGA
供应商器件封装：
78-VFBGA（8x10.5）
描述：
4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M

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W634GU8QB09I TR_集成电路（IC） 存储器-华邦电子

W634GU8QB09I TR

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