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W29N02GVBIAF中文资料NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8数据手册Winbond规格书

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厂商型号

W29N02GVBIAF

参数属性

W29N02GVBIAF 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8

封装外壳

63-VFBGA

制造商

Winbond

中文名称

华邦电子 华邦电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    W29N02GVBIAF

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

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