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GD25Q80CEJG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD25Q80CNEG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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GD25Q80CNFG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD25Q80CNIG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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GD25Q80CNJG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD25Q80CPEG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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GD25Q80CPFG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

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3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD25Q80CQEG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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产品属性

  • 产品编号:

    W25Q80JVZPIQ

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    SpiFlash®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    3ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(6x5)

  • 描述:

    IC FLASH 8MBIT SPI 133MHZ 8WSON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
WINBOND
22+
SOP8
35000
华邦全系列原装正品现货
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8-WSON(6x5)
56200
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更多W25Q80JVZPIQ供应商 更新时间2025-7-30 9:02:00