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25Q80DVNIG	文件：2.31505 Mbytes Page：71 Pages	3V8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
25Q80DVSIG	文件：2.31505 Mbytes Page：71 Pages	3V8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
25Q80EWSIG	文件：1.614 Mbytes Page：80 Pages	1.8V8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
EN25Q80A	文件：1.02789 Mbytes Page：50 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector GENERALDESCRIPTION TheEN25Q80Aisan8Megabit(1024K-byte)SerialFlashmemory,withadvancedwriteprotection mechanisms.TheEN25Q80AsupportsthestandardSerialPeripheralInterface(SPI),andahigh performanceDualoutputaswellasQuadI/OusingSPIpins:SerialClock,ChipSel	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
EN25Q80A	文件：1.0288 Mbytes Page：50 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
EN25Q80B	文件：1.17022 Mbytes Page：64 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
GD25Q80	文件：2.75889 Mbytes Page：49 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	ELM ELM Electronics	ELM
GD25Q80C	文件：4.30145 Mbytes Page：28 Pages	MCU	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
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GD25Q80CEEG	文件：1.38475 Mbytes Page：67 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice

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产品属性

产品编号：
W25Q80EWZPIG
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O，QPI
写周期时间 - 字，页：
800µs
电压 - 供电：
1.65V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-WSON（6x5）
描述：
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8WSON

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