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P25Q80L	文件：2.93905 Mbytes Page：70 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wit	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
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P25Q80LE-NXH-IR	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80LE-NXH-IT	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80LE-NXH-IW	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80LE-NXH-IY	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
W25Q80BVDAIP	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
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W25Q80BVSNAG	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W25Q80BVSNAP	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
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W25Q80BVSNIP	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
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产品属性

产品编号：
W25Q80BVDAIG
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
3ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8DIP

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