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W25Q20CLSNIG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC	Winbond Electronics Winbond Electronics	Winbond Electronics
W25Q20CLSNIG TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：SPIFLASH, 2M-BIT, 4KB UNIFORM SE	Winbond Electronics Winbond Electronics	Winbond Electronics
GD25Q20C	文件：1.27312 Mbytes Page：64 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
GD25Q20C	文件：4.30145 Mbytes Page：28 Pages	MCU	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
GD25Q20CEEG	文件：1.27312 Mbytes Page：64 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
GD25Q20CEFG	文件：1.27312 Mbytes Page：64 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
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GD25Q20CNFG	文件：1.27312 Mbytes Page：64 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice

产品属性

产品编号：
W25Q20CLSNIG
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
2Mb（256K x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
800µs
电压 - 供电：
2.3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC

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