W25Q16JVSNIM_集成电路（IC）存储器-Winbond Electronics

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1+	¥4.64000

厂家型号：
W25Q16JVSNIM
制造商：
Winbond Electronics
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-5-25 8:00:00

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原厂料号：W25Q16JVSNIM品牌：Winbond Electronics

资料说明：SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO

W25Q16JVSNIM是集成电路（IC） > 存储器。制造商Winbond Electronics生产封装8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的W25Q16JVSNIM存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
w25q16jvsnim
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO

产品属性

类型
描述
产品编号：
W25Q16JVSNIM
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
16Mb（2M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
写周期时间 - 字，页：
3ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO

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