W25Q128JWSIQ中文资料下载供应价格第5页-114ic电子网

首页 >W25Q128JWSIQ>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
P25Q128L-SUH-IW	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-SUH-IY	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-SUH-KR	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-SUH-KT	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-SUH-KW	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-SUH-KY	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-IR	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-IT	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-IW	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-IY	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-KR	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-KT	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-KW	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128L-WXH-KY	文件：3.26833 Mbytes Page：107 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description TheP25Q128LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
T25Q128ABEGT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
T25Q128ABEPT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
T25Q128ABIGT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
T25Q128ABIPR	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
T25Q128ABIPT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
T25Q128ADEGT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

<<<1 2 3 456 >>>

产品属性

产品编号：
W25Q128JWSIQ
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
-，3ms
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市大鑫浪电子科技有限公司	W25Q128JWSIQ	华邦	22+		20000		询价
深圳市正纳电子有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBODN	22+	SOP8	5000	原装正品可支持验货,欢迎咨询	询价
深圳市博科胜电子有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND	19+	SOP8	1500	原装现货实单可谈	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND	2108+	SOP8	14554	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND	2022+	SOP8	3300	原装原厂代理可免费送样品	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND		SMD	2000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND/华邦	23+	SOP8	700000	公主请下单柒号只做原装	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND/华邦	23+	NA	37856	热卖原装进口	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND(华邦)	2303+	SOIC-8_208mil	6667	只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货	询价
深圳市君亿电子科技有限公司	W25Q128JWSIQ	WINBOND/华邦	21+	SOP-8	10000	我们公司只做原装	询价

更多W25Q128JWSIQ供应商更新时间2024-5-4 15:00:00

产品属性

相关规格书

相关库存