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W25P10VSNIG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W25P10VSNIG T&R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25P10AV	文件：987.55 Kbytes Page：51 Pages	1Mbit,serialFlashmemory,50MHzSPIbusinterface Description TheM25P10-Aisa1Mbit(128Kbitx8)serialFlashmemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbeprogrammed1to256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction. Thememoryisorganizedas4sectors,	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
CP25P10F	文件：1.01593 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CP25P10FR	文件：1.01614 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
EN25P10	文件：385.47 Kbytes Page：31 Pages	1MbitUniformSector,SerialFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheEN25P10isa1M-bit(128K-byte)SerialFlashmemory,withadvancedwriteprotection mechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbeprogrammed1to 256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction.TheEN25P10isdesignedtoallow	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EVD25P10ZES	文件：383.06 Kbytes Page：3 Pages	MILITARYQUALITYREMOVABLECONTACT,SUBMINIATURE-DCONNECTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
M25P10	文件：162.29 Kbytes Page：21 Pages	1MbitLowVoltagePagedFlashMemoryWith20MHzSerialSPIBusInterface DESCRIPTION TheM25P10isan1MbitPagedFlashMemoryfabricatedwithSTMicroelectronicsHighEnduranceCMOStechnology.ThememoryisaccessedbyasimpleSPIbuscompatibleserialinterface.Thebussignalsareaserialclockinput(C),aserialdatainput(D)andaserialdataoutput(Q).	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M25P10A	文件：987.55 Kbytes Page：51 Pages	1Mbit,serialFlashmemory,50MHzSPIbusinterface Description TheM25P10-Aisa1Mbit(128Kbitx8)serialFlashmemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbeprogrammed1to256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction. Thememoryisorganizedas4sectors,	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M25P10-A	文件：128.94 Kbytes Page：7 Pages	512Kbitto32Mbit,LowVoltage,SerialFlashMemoryWith40MHzor50MHzSPIBusInterface SUMMARYDESCRIPTION TheM25Pxxisa512Kbitto32Mbit(2Mx8)SerialFlashMemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. FEATURESSUMMARY ■512Kbitto32MbitofFlashMemory ■PageProgram(upto256Bytes)in1.4ms(typical) ■SectorErase(2	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M25P10-A	文件：987.55 Kbytes Page：51 Pages	1Mbit,serialFlashmemory,50MHzSPIbusinterface Description TheM25P10-Aisa1Mbit(128Kbitx8)serialFlashmemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbeprogrammed1to256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction. Thememoryisorganizedas4sectors,	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M25P10-A	文件：589.39 Kbytes Page：41 Pages	1Mbit,LowVoltage,SerialFlashMemoryWith25MHzSPIBusInterface Summarydescription TheM25P10-Aisa1Mbit(128Kx8)SerialFlashMemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbeprogrammed1to256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction. Thememoryisorganizedas4sectors,e	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M25P10-A	文件：392.42 Kbytes Page：49 Pages	1Mbit,lowvoltage,SerialFlashmemorywith50MHzSPIbusinterface	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
NX25P10	文件：533.5 Kbytes Page：28 Pages	1MBIT2MBITAND4MBITSERIALFLASHMEMORYWITH10MHZSPI [NexFlash] GENERALDESCRIPTION TheNX25P10(1M-bit),NX25P20(2M-bit)andNX25P40(4M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.Theyareidealforcodedownloadapplicationsaswellasstoringvoice,textanddata.Thedevicesoperateo	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RFH25P10	文件：91.48 Kbytes Page：2 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFH25P10	文件：33.2 Kbytes Page：4 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFK25P10	文件：33.2 Kbytes Page：4 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFK25P10	文件：91.48 Kbytes Page：2 Pages	-25A,-100Vand-80V,0.150Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SPR25P10-C	文件：543.32 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
UTT25P10	文件：152.99 Kbytes Page：3 Pages	25A,100VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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产品属性

产品编号：
W25P10VSNIG
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
SPI
写周期时间 - 字，页：
5ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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