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W25N01GV数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

W25N01GV

参数属性

W25N01GV 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V

功能描述

串口式 (SPI) NAND 型闪存

封装外壳

16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

Winbond Winbond

中文名称

华邦电子 华邦电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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W25N01GV规格书详情

描述 Description

1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default

特性 Features

•Vcc: 2.7V to 3.6V
• Bus width: x1/x2/x4
• Operating temperature: Industrial: -40°C to 85°C
• Single-Level Cell (SLC) Technology
• Density: 1G-bit/128M-byte
• Page size: 2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
• Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
• Page read with ECC enable: 50us
• SPI clocks: 104MHz
• Page program time: 250us(typ.)
• Block erase time: 2ms(typ.)
• Support OTP memory area
• Package:WSON8 6x8, TFBGA24 6x8, SOIC16 300mil

技术参数

  • 制造商编号

    :W25N01GV

  • 生产厂家

    :Winbond

  • Speed

    :104MHz

  • Temp.

    :-40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃

  • Features

    :High Quality Single Level Cell (SLC) TechnologyStandard Serial Interface with x1/x2/x4 Bus Width

  • Automotive

    :P

  • Status

    :P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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