VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a long T-1, endlooking package. The package material is infrared transmitting (blocking visible light). These diodes exhibit low dark current under reverse bias and fast speed of response.

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PERKINELMER

快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为0.684mm2，光谱响应范围介于700nm和1150nm之间。\n\n我们的系列快速响应光电二极管设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力。它们可以在反向偏置下工作，以减小电容并进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的设备中，这些光电二极管也可以光伏模式工作。\n\n这种硅光电二极管在近IR光谱范围内有极佳的响应，与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点：\n\n近IR光谱范围\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n\n符合R • 感光面积 = 0.684 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为15 µA，• 响应度=通常为0.013 A/(W/cm2), 940 nm• 暗电流=在50V反向偏压时，最大值为35nA• 结电容 = 最大值25 pF（反向偏压为3 V时）• 光谱范围 = 700 nm至1150 nm• 峰值光谱响应=925 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,55A/W• 角响应=50%响应时成±20度，;

Excelitas

埃赛力达

烟雾探测光电部件

这种快速响应硅光电二极管的感光面积为0,684mm2，设计用于实现700nm至1150nm的光谱响应范围。\n\n该系列光电二极管设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力，并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容，从而进一步提高响应速度。 在不太注重响应速度的情况下，这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些光电二极管在近IR光谱范围内作出灵敏响应，并且与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点：\n\n近IR光谱范围\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n\n • 感光面积=0.684mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为15 µA，• 响应度=通常为0.013 A/(W/cm2), 940 nm• 暗电流=在50V反向偏压时，最大值为35nA• 结电容 = 最大值25 pF（反向偏压为3 V时）• 光谱范围 = 700 nm至1150 nm• 峰值光谱响应=925 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,55A/W• 角响应=50%响应时成±20度，;

Excelitas

埃赛力达

Non-isolated Buck APFC Offline LED Driver

文件：476.12 Kbytes 页数：8 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

Non-isolated Buck APFC Offline LED Driver

文件：476.12 Kbytes 页数：8 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage

文件：636.02 Kbytes 页数：29 Pages

TI

德州仪器