快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为0.684mm2，光谱响应范围介于400nm和1150nm之间。\n\n我们的系列快速响应光电二极管设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力。它们可以在反向偏压的条件下工作，以减小电容，从而进一步提升响应速度。在不太注重响应速度的设备中，这些光电二极管也可以光伏模式工作。\n\n这种快速响应的硅光电二极管在近IR范围内能很好响应，并且与埃赛力达红外LED VTE系列良好匹配。\n\n功能与优点：\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反 • 感光面积 = 0.684 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为24 µA，• 响应度=通常为0.015 A/(W/cm2), 940 nm• 暗电流=在50V反向偏压时，最大值为35nA• 结电容 = 最大值25 pF（反向偏压为3 V时）• 光谱范围 = 400 nm至1150 nm• 峰值光谱响应=925 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,55A/W• 角响应=50%响应时成±20度，;

Excelitas

埃赛力达

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 10Ω

文件：78.7 Kbytes 页数：3 Pages

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES * 100 Volt VDS *RDS(on)=20Ω

文件：112.05 Kbytes 页数：2 Pages

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES * 100 Volt VDS *RDS(on) =20Ω

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