VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION This photodiode features the largest detection area available in a clear, endlooking T-1¾ package. Combined with excellent dark current, it can fulfill the demands of many difficult applications.

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PERKINELMER

快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为2.326mm2，光谱响应范围介于400nm和1100nm之间。\n\n我们的快速响应硅光电二极管系列设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力，并且可以在反向偏置下工作，以减小电容并进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的设备中，这些光电二极管也可以光伏模式工作。\n\n这些器件可以在IR光谱范围内作出灵敏响应，并且也与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点：\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n • 感光面积 = 2.326 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为21 µA，• 暗电流=在10V反向偏压时，最大值为25nA• 结电容 = 最大值100 pF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±70度，;

Excelitas

埃赛力达

快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为2.326mm2，光谱响应介于400nm和1100nm之间。\n\n我们的快速响应光电二极管系列设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力，并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容，从而进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的应用中，这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些器件在IR光谱范围内有很好的响应，与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点：\n\n可见光和近红外光谱范围\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n\n符 • 感光面积 = 2.326 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为100 µA，• 响应度 = 最小值为0.06 A/(W/cm2), 880 nm• 暗电流=在10V反向偏压时，最大值为25nA• 结电容= 在0V偏压时最大值为0,3nF• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±20度，;

Excelitas

埃赛力达

烟雾探测光电部件

这种快速响应硅光电二极管的感光面积为2,326mm2，设计用于实现400nm至1100nm的光谱响应范围。\n\n该系列光电二极管设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力，并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容，从而进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的情况下，这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些光电二极管可以在IR光谱范围内作出灵敏响应，并且也与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点：\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定 • 感光面积=2.326mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为100 µA，• 响应度 = 最小值为0.06 A/(W/cm2), 880 nm• 暗电流=在10V反向偏压时，最大值为25nA• 结电容= 在0V偏压时最大值为0,3nF• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±20度，;

Excelitas

埃赛力达

Package：径向；包装：盒 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL

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