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VTE1281W-1	文件：32.89 Kbytes Page：1 Pages	GaAlAs Infrared Emitting Diodes DESCRIPTION Thiswidebeamangle5mmdiameterplasticpackagedemittercontainsaGaAlAs,880nmIREDchip.Itisacosteffectivedesignandiswellsuitedforhighcurrentpulseapplications.	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer

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VTE1281W-1

文件：32.89 Kbytes

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GaAlAs Infrared Emitting Diodes

DESCRIPTION Thiswidebeamangle5mmdiameterplasticpackagedemittercontainsaGaAlAs,880nmIREDchip.Itisacosteffectivedesignandiswellsuitedforhighcurrentpulseapplications.

PerkinElmer

PerkinElmer Optoelectronics

PerkinElmer

详细参数

型号：
VTE1281W-1
制造商：
Excelitas Technologies Corporation
功能描述：
IR EMITTER, 880NM, T-1 3/4, THROUGH HOLE; Peak
Wavelength：
880nm; Forward Current
If(AV)：
100mA; Rise
Time：
1s; Fall Time
tf：
1s; Radiant
Intensity：
32mW/Sr; Viewing
Angle：
10; Forward Voltage VF
Max：
1.5V; Diode Case
Style：
T-1 3/4 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VTE1281W-1供应商更新时间2025-5-22 16:06:00

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