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VTE1281F	文件：24.18 Kbytes Page：1 Pages	GaAlAs Infrared Emitting Diodes DESCRIPTION This5mmdiameterplasticpackagedemitterhasnolens.Itisdesignedtobecoupledtoplasticfibersorusedtoilluminateanexternallens.Itcontainsamediumarea,singlewirebonded,GaAlAs880nmchipandisdesignedtobecosteffectiveinmoderatepulsedriveapplications.	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
1281	文件：503.41 Kbytes Page：1 Pages	250(6.4)PCQUICK-FITMALETABS	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
A1281	文件：40.06 Kbytes Page：4 Pages	AudioPowerAmplifier AudioPowerAmplifier •CollectorPowerDissipation:PC=1W •3WattOutputApplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
A1281	文件：423.9 Kbytes Page：2 Pages	LowSensitivityUnipolarHallEffectSwitch	MATMaster Analog Technology CO. 美斯特类比美斯特类比科技有限公司	MAT
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详细参数

型号：
VTE1281F
制造商：
Excelitas Technologies Corporation
功能描述：
Infrared Emitting Diodes, 880nm, 200mW, 1.5V
制造商：
PerkinElmer Inc
功能描述：
IR EMITTING DIODE, Forward Current
If(AV)：
100mA, Radiant
Intensity：
2.1mW/Sr, Vie

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	VTE1281FH	ExcelitasTechnologiesSen	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	VTE1281FH	Excelitas Technologies Sensors	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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更多VTE1281F供应商更新时间2025-5-22 16:06:00

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