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FDB8441	文件：307.49 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI8441	文件：303.47 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI8441	文件：325.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8441	文件：327.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8441	文件：322.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET(40V,80A,2.7mohm)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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KB8441	文件：178.87 Kbytes Page：9 Pages	PHOTOCOUPLER	KingbrightKingbright Company LLC 今台电子今台电子股份有限公司	Kingbright
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详细参数

型号：
VTB8441H
制造商：
Excelitas Technologies Corporation
功能描述：
PHOTO DIODE; Wavelength of Peak
Sensitivity：
920nm; Angle of Half Sensitivity
：
50; Dark
Current：
100pA; Diode Case
Style：
Radial Leaded; No. of
Pins：
2; Operating Temperature
Min：
-20C; Operating Temperature
Max：
75C ;RoHS
Compliant：
Yes

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